Hoe de kwaliteit van componenten te beoordelen met een multimeter
1. Detectie van gewone diodes
Meet met een MF47 -multimeter, verbind de rode en zwarte sondes met beide uiteinden van de diode, lees de lezing en ruil vervolgens de sondes voor meting. Op basis van de resultaten van twee metingen is de voorwaartse weerstandswaarde van low-power germaniumdioden meestal 300-500 Ω, terwijl die van siliciumdioden ongeveer 1 k Ω of hoger is. De omgekeerde weerstand van Germanium-buis is enkele tientallen kiloohms en de omgekeerde weerstand van siliciumbuis is boven 500k Ω (de waarde van krachtige diode is veel kleiner). Een goede diode heeft een lage voorwaartse weerstand en een hoge omgekeerde weerstand, en hoe groter het verschil in voorwaartse en omgekeerde weerstand, hoe beter. Als de gemeten voorwaartse en omgekeerde weerstand erg klein is en bijna nul is, geeft dit aan dat de diode intern kortsluitcircuit is; Als de voorwaartse en omgekeerde weerstand erg hoog is of de neiging heeft oneindig te zijn, geeft dit aan dat er een open circuit in de buis zit. In beide gevallen moet de diode worden geschrapt.
Bij wegtests: het testen van de voorwaartse en omgekeerde weerstand van de PN -junctie van de diode maakt het gemakkelijker om te bepalen of de diode een afbraak in kortsluiting of een open circuit ervaart.
2. PN junction detectie
Stel de digitale multimeter in op de diode -modus en meet de PN -kruising met de sonde. Als het in de voorwaartse richting uitvoert, is het weergegeven nummer de voorwaartse spanningsval van de PN -kruising. Bepaal eerst de collector en emitterelektroden; Meet de voorwaartse spanningsval van twee PN -juncties met een sonde, waarbij de emitter een hogere spanningsval heeft en de collector een lagere spanningsval heeft. Bij het testen van twee knooppunten, als de rode sonde is verbonden met de gemeenschappelijke pool, is de geteste transistor van het NPN -type en is de rode sonde verbonden met de basis B; Als de zwarte sonde is aangesloten op de gemeenschappelijke terminal, is de geteste transistor van het PNP -type en deze terminal is de basis B. Nadat de transistor is beschadigd, zijn er twee situaties voor de PN -kruising: afbraak kortsluiting en open circuit.
Bij het testen van circuits: bij het testen van een circuit van een transistor wordt daadwerkelijk bereikt door de voorwaartse en omgekeerde weerstand van de PN -junctie te testen om te bepalen of de transistor beschadigd is. De takweerstand is groter dan de voorwaartse weerstand van de PN -junctie. Normaal gesproken moet er een significant verschil zijn in de gemeten voorwaartse en omgekeerde weerstand, anders zal de PN -kruising worden beschadigd. Wanneer de takweerstand minder is dan de voorwaartse weerstand van de PN -junctie, moet de tak worden losgekoppeld, anders kan de kwaliteit van de transistor niet worden bepaald.
3. Driefasige gelijkrichterbrugmodule Detectie
De Semikron Rectifier Bridge -module als voorbeeld nemen, zoals weergegeven in de bijgevoegde figuur. Stel de digitale multimeter in op de diode -testmodus, sluit de zwarte sonde aan op COM en de rode sonde op V ω en gebruik de rode en zwarte sondes om de voorwaartse en omgekeerde diode -eigenschappen tussen fasen 3, 4 en 5 en polen 2 en 1 te meten om te controleren en te bepalen of de rectifierbrug intact is. Hoe groter het verschil in de gemeten positieve en negatieve kenmerken, hoe beter; Als de voorwaartse en omgekeerde richtingen nul zijn, geeft dit aan dat de gedetecteerde fase is afgebroken en kort circuit; Als zowel voorwaartse als omgekeerde richtingen oneindig zijn, geeft dit aan dat de gedetecteerde fase is losgekoppeld. Als een fase van de gelijkrichterbrugmodule beschadigd is, moet deze worden vervangen.
4. IGBT -moduledetectie van omvormer
Stel de digitale multimeter in op de diode -testmodus en test de voorwaartse en omgekeerde diode -kenmerken tussen IGBT -modules C1. E1 en C2. E2, evenals tussen Gate G en E1, E2, om te bepalen of de IGBT -module intact is.
