Hoe gebruik je een multimeter om de kwaliteit van het veldeffectbuizen te detecteren?
Vanwege de aanwezigheid van een dempingsdiode tussen de DS -polen van veelgebruikte MOSFET's, kunnen de prestaties van MOSFET's worden bepaald met behulp van het diodegehalte van een digitale multimeter om de diodespanningsval tussen de DS -polen te detecteren. De gedetailleerde detectiemethode is als volgt.
Draai de versnellingsschakelaar van de digitale multimeter in de diode -modus, sluit de rode sonde aan op de S -paal en de zwarte sonde met de D -paal. Op dit moment toont het scherm van de multimeter de spanningsvalwaarde van de diode tussen de DS -polen. De spanningsvalwaarde van high-power veld-effect transistoren is meestal tussen 0. 4 en 0. 8v (meestal rond 0. 6v); Er zou geen spanningsdaling moeten zijn tussen de zwarte sonde die is aangesloten op de S-pool, de rode sonde verbonden met de D-pool en de G-paal en andere pinnen (bijvoorbeeld in een N-kanaal veldeffect transistor transistor, een P-kanaalveld-effect transistor moet een spanningsdruppelwaarde hebben wanneer de rode sonde is verbonden met de D-pols en de zwarte sonde is verbonden met de S-pool). Integendeel, het geeft aan dat de veldeffecttransistor is beschadigd.
Veldeffecttransistoren worden meestal beschadigd door afbraak en in dit geval bevinden de pennen zich meestal in een kortsluitstatus. Daarom moet de spanningsvalwaarde tussen de pennen ook OV zijn. Na elke meting van MOS-veldeffecttransistor wordt een kleine hoeveelheid lading in rekening gebracht op de GS-junctie-condensator, waardoor een spannings UG's worden vastgesteld. Wanneer het opnieuw wordt gemeten, kan de sonde niet bewegen (bij gebruik van een digitale multimeter, is de meetfout groot). Op dit moment kortsluit de GS -terminals kort.
De schade van veldeffecttransistoren wordt meestal veroorzaakt door afbraak en kortsluiting. Op dit moment zijn de pennen meestal met een multimeter met een multimeter met elkaar verbonden. Nadat de veldeffecttransistor is beschadigd, is er over het algemeen geen duidelijke schade aan het uiterlijk. Voor ernstig overstroom beschadigde veldeffecttransistoren kan dit exploderen.
