Methoden voor het gebruik van een multimeter om de voedingsmodule van een omvormer te detecteren
Wanneer u de voedingsmodule op het circuit (geïsoleerd van het elektriciteitsnet) detecteert, gebruikt u het R×1-bereik van een wijzermultimeter om de zes dioden van de gelijkrichtbrug en de collector en emitter van de zes IGBT-transistors van de uitgangsbrug in respectievelijk voorwaartse en achterwaartse richting te meten om te bepalen of ze kapot zijn. Tabel 1 en Tabel 2 tonen de normale meetresultaten. Anders zitten er kapotte-componenten in. Gebruik het B×1k-bereik van de wijzermultimeter om respectievelijk de weerstand tussen de poort en de emitter van elk van de zes IGBT-transistoren (de ingangsterminal van het stuursignaal) te meten, en deze moeten hetzelfde zijn. Als er verschillen zijn, geeft dit aan dat het stuurcircuit of de IGBT-transistor beschadigd is. Met de bovenstaande metingen kan alleen de doorslagschade van de IGBT-transistoren worden gedetecteerd, maar niet de open-schade. Nadat de voedingsmodule van de printplaat is verwijderd, kan elke IGBT-transistor verder worden gemeten. De methode wordt weergegeven in figuur 1. De aanwijzer aan de linkerkant geeft niet-geleiding aan, en de aanwijzer aan de rechterkant geeft geleiding aan. Als het niet lukt om te geleiden en af te snijden, is de transistor beschadigd.
De structuur van de vermogensmodule van de omvormer:
In de voedingsmodule van de omvormer is het ene deel een enkel-fasig of drie-fasig bruggelijkrichtercircuit bestaande uit diodes, en het andere deel is een drie-fasig bruguitgangscircuit bestaande uit zes IGBT-transistors (Insulated Gate Bipolar Transistors) en zes dempingsdiodes die in samenwerking worden gebruikt.
P1 is de positieve pool van de +300V-gelijkgerichte uitgang, en N1 is de negatieve pool van de gelijkgerichte uitgang. Deze twee pinnen zijn extern verbonden met een elektrolytische filtercondensator en zijn verbonden via de wederzijdse inductorspoel, waarbij P1 is verbonden met P2 en N1 is verbonden met N2, waardoor stroom wordt geleverd aan de uitgangsbrug die bestaat uit zes IGBT-transistors.
De collectoren van de drie IGBT-transistoren in de bovenste helft-brug van de drie--fase-uitgangsbrug zijn allemaal verbonden met de positieve aansluiting van de voeding, en de emitters zijn respectievelijk de U, V en W drie--fase-uitgangsaansluitingen. De emitters en poorten van de drie transistors vormen de ingangsklemmen van de stuursignalen voor de drie-fase bovenste helft-brug, namelijk GU-U, GV-V en GW-W. De collectoren van de drie IGBT-transistoren in de onderste helft-brug van de drie-fase-uitgangsbrug zijn respectievelijk verbonden met U, V en W, en de emitters zijn allemaal verbonden met de negatieve pool van de voeding. De poorten van de drie transistors en de negatieve pool van de voeding vormen de ingangsterminals van de stuursignalen voor de drie-fase onderste helft-brug, namelijk GX, GY en GZ. B is de rembedieningsterminal.
