Met een multimeter testen of een veld{0}}effecttransistor goed of slecht is
Vanwege de aanwezigheid van een dempingsdiode tussen de D-S-polen van veelgebruikte MOSFET's, kunnen de prestaties van MOSFET's worden bepaald door het diodeniveau van een digitale multimeter te gebruiken om de diodespanningsval tussen de D-S-polen te detecteren. De gedetailleerde detectiemethode is als volgt.
Zet de versnellingsschakelaar van de digitale multimeter in de diodemodus, sluit de rode sonde aan op de S-pool en de zwarte sonde op de D-pool. Op dit moment zal het scherm van de multimeter de spanningsvalwaarde van de diode tussen de D-S-polen weergeven. De spanningsvalwaarde van transistors met hoog-vermogensveld- ligt gewoonlijk tussen 0,4 en 0,8 V (meestal rond de 0,6 V); Er mag geen spanningsval zijn tussen de zwarte sonde aangesloten op de S-pool, de rode sonde aangesloten op de D-pool, en de G-pool en andere pinnen (in een N-kanaalveld-effecttransistor moet een P-kanaalveld-effecttransistor bijvoorbeeld een spanningsvalwaarde hebben wanneer de rode sonde is aangesloten op de D-pool en de zwarte sonde is aangesloten op de S-pool). Integendeel, het geeft aan dat de veldeffecttransistor beschadigd is.
Veldeffecttransistors worden meestal beschadigd door defecten en de pinnen bevinden zich meestal in kortsluiting. Daarom moet de spanningsval tussen de pinnen ook OV zijn. Na elke meting van een MOS-veldeffecttransistor wordt een kleine hoeveelheid lading geladen op de G-S-junctiecondensator, waardoor een spanning UGS tot stand wordt gebracht. Wanneer u opnieuw gaat meten, bewegen de pinnen mogelijk niet (bij gebruik van een digitale multimeter zal de meetfout groot zijn). Sluit nu kort de G-S-polen kort.
De schade aan veldeffecttransistors wordt meestal veroorzaakt door defecten en kortsluiting. Op dit moment zijn de pinnen, gemeten met een multimeter, meestal met elkaar verbonden. Nadat de veldeffecttransistor is beschadigd, is er over het algemeen geen duidelijke schade aan het uiterlijk. Bij ernstig door overstroom beschadigde veldeffecttransistoren- kan deze ontploffen.
