Hoe gebruik je een multimeter om te bepalen of een transistortriode een silicium- of germaniumbuis is?
Transistoridentificatie, u kunt een multimeter gebruiken om de polariteit ervan te bepalen, om te bepalen of het een siliciumbuis of germaniumbuis is, en tegelijkertijd om onderscheid te maken tussen de pinnen. Voor algemene buizen met een laag vermogen is het oordeel over het algemeen alleen geschikt om een R × 1K-blok te gebruiken. De stappen zijn als volgt.
(1) positieve en negatieve meting.
De rode en zwarte pennen meten de transistorweerstand van twee willekeurige pinnen, en dan meten de rode en zwarte pennen nog steeds de weerstand van deze twee pinnen, de twee metingen van weerstandsmetingen zijn verschillend, de weerstandsmetingen van de kleinere metingen worden genoemd positief is, worden de weerstandsmetingen van de grotere metingen tegenmeting genoemd.
(2) bepaal de basis.
De transistor bestaat uit drie pinnen op de 1, 2, 3. Multimeter voor drie metingen, namelijk 1-2, 2-3, 3-1, elk verdeeld in positieve en negatieve metingen. Deze zes metingen, er zijn drie positieve metingen, en de weerstandsmetingen zijn verschillend. Zoek de positieve weerstand van de grootste pin, zoals 1-2, een andere pin 3 is de basis. Omdat de halfgeleidertransistor twee diodes zijn die omgekeerd zijn verbonden. Emitter, collector en basis van de positieve weerstand tussen de algemene diode-voorwaartse weerstand, zeer klein. Wanneer de twee pennen zijn aangesloten op de collector en de emitter, is de weerstandswaarde veel groter dan de algemene voorwaartse weerstand van de diode.
(3) Onderscheid polariteit.
Zwarte pen verbonden met de geïdentificeerde basis, rode pen verbonden met een andere willekeurige pool, als de positieve test, dan de NPN-buis, als de omgekeerde test, dan de PNP-buis. Dit komt omdat de zwarte pen is aangesloten op het positieve uiteinde van de batterij in de multimeter, zoals bij een positieve meting, de zwarte pen is aangesloten op de P-aansluiting en de transistor van het NPN-type is. Als bij de omgekeerde meting de zwarte pen is aangesloten op de N-terminal, is de transistor van het PNP-type.
(4) Bepaal de collector en emitter.
Positieve meting van de basis, bij NPN-buizen is de zwarte pen aangesloten op de collector, bij PNP-buizen is de zwarte pen aangesloten op de emitter. Dit komt doordat er, ongeacht de positieve of negatieve meting, een omgekeerde PN-overgang is; het grootste deel van de accuspanning valt op de omgekeerde PN-overgang. Door een positieve bias van de junctie uit te zenden, stelt u de omgekeerde bias van het circuit in wanneer de stroomstroom groter is en een kleinere weerstand biedt. Daarom is bij NPN-buizen, wanneer de weerstand tussen de collector en de emitter klein is, de collector verbonden met de positieve pool van de batterij, dat wil zeggen verbonden met de zwarte pen. PNP-buis, wanneer de weerstand tussen de zender klein is, wordt de zender verbonden met de zwarte pen.
(5) identificeer de siliciumbuis of germaniumbuis.
De basis van de emitter voor een positieve meting, als de wijzerafbuiging 1/2 tot 3/5 bedraagt, is een siliciumbuis. Als de wijzerdoorbuiging groter is dan 4/5, is de germaniumbuis defect. Dit komt omdat de weerstand op de basis van de emitter voor een positieve meting, de spanning toegevoegd aan de basis tussen de emitter Ube=(1-n/N) E, E=1 is. 5 V is de batterijspanning, N is een lineaire schaal van een gelijkspanning van het totale aantal compartimenten, n is het aantal doorbuigingen van de naald in de schaal van het aantal compartimenten. Meestal siliciumbuis U {{10}}.6 ~ 0.7 V, germaniumbuis Ube=0.2 ~ 0,3 V. Daarom, in de test, voor de siliciumbuis , n/N is 1/2 ~ 3/5; voor germaniumbuizen is n/N ongeveer 4/5 of meer. Bovendien mag de multimeter voor algemene discriminatie op klein vermogen geen R × 10- of R × 1-blok gebruiken. Om een 500-multimeter te typen om de siliciumbuis te meten ter illustratie: de interne weerstand van de tabel in het R × 10-blok is 100 Ω, de siliciumbuis b - e-pool voor de positieve meting, de stroom tot Ibe { {30}} (1.5 - 0.7)/100=8 mA, meting van germaniumbuizen wanneer de stroom ook groot is, waarbij de R × 1 blokstroom nog groter is, kan er schade optreden aan de transistor. Wat het R × 1 K-blok betreft, is de batterijspanning van het blok hoger, gebruikelijk 1 V, 12 V, 15 V, 22,5 V enzovoort. Verschillende soorten tegenmaatregelen kunnen de doorslag van de PN-overgang veroorzaken, dus dit blok moet ook worden gebruikt met voorzichtigheid.
