De vermogensmodule van de frequentieomvormer testen met een multimeter
Wanneer de voedingsmodule onderweg wordt gedetecteerd (losgekoppeld van het elektriciteitsnet), meet dan de collector en emitter van de zes diodes van de gelijkrichterbrug en de zes IGBT-buizen van de uitgangsbrug respectievelijk met de wijzermultimeter R×l om te beoordelen of ze zijn kapot gegaan. l en Tabel 2 zijn normale meetresultaten, anders zijn er storingscomponenten binnenin. Gebruik de pointer-multimeter Bx1k om de weerstand te meten tussen de gate en de emitter van de zes IGBT-buizen (aandrijfsignaalingangsaansluitingen) en ze moeten hetzelfde zijn. Als er een verschil is, is het aandrijfcircuit of de IGBT-buis beschadigd. Bovenstaande metingen kunnen alleen de doorslagschade van de IGBT buis meten. Er kan geen open circuitschade worden gedetecteerd. Nadat de voedingsmodule van de printplaat is verwijderd, kan elke IGBT-buis verder worden gemeten. De methode wordt weergegeven in figuur 1. De naald aan de linkerkant geeft geen geleiding aan. De naald aan de rechterkant geeft continuïteit aan. Als het niet aan en uit kan worden gezet, is de buis beschadigd.
TLP251 is een optocoupler-stuurcircuit dat veel wordt gebruikt in frequentieomvormers. Wanneer de voedingsmodule uitvalt, heeft dit vaak invloed op het circuit. Het interne circuit en de meetmethode worden getoond in figuur 2. Wanneer de ②-pin is losgekoppeld of verbonden met de 10V-voeding via een weerstand van 3kΩ. ⑥ De pin heeft een hoge of lage spanningsverandering van 0V of 9V.
Opbouw van de inverter-vermogensmodule:
Een deel van het interne pakket van de inverter-vermogensmodule is een enkelfasige of driefasige bruggelijkrichterschakeling bestaande uit diodes, en het andere deel is een driefasige brug bestaande uit zes IGBT-buizen (geïsoleerde bipolaire poorttransistors) en zes dempingsmodules. diodes gebruikt samen type uitgangscircuit.
De interne structuur en het pincircuitschema van de P083A2003 universele inverter-vermogensmodule. R, S, T zijn voedingsingangen, de module wordt gevoed door AC 220V, de R-pin is leeg en het interieur is een enkelfasige bruggelijkrichter.
P1 is de positieve aansluiting van plus 300V rectificatie-uitgang, N1 is de negatieve aansluiting van rectificatie-uitgang, deze twee pinnen zijn extern verbonden met filterelektrolytische condensatoren en verbonden met P2 via wederzijdse inductantiespoel P1, N1 is verbonden met N2 en levert stroom naar de uitgangsbrug die bestaat uit zes IGBT-buizen.
De collectoren van de drie IGBT-buizen van de bovenste helft van de driefasige uitgangsbrug zijn verbonden met de positieve pool van de voeding en de emitters zijn de driefasige uitgangsklemmen van respectievelijk U, V en W. De emitters en roosters van de drie buizen vormen de bovenste helft van de driefasige brugaansturingssignaalingangsklemmen GU-U, GV-V, GW-W. De collectoren van de drie IGBT-buizen van de onderste helft van de driefasige uitgangsbrug zijn respectievelijk verbonden met U, V en W en de emitters zijn verbonden met de minpool van de voeding. De roosters van de drie buizen en de minpool van de voeding vormen het aandrijfsignaal van de driefasige onderste halve brug. Ingangsklemmen GX, GY, GZ, B zijn remaansturingsklemmen.
Er is geen remcircuit in deze module. TH is de interne thermistorbeveiligingsuitgang. Hoewel de pinnen van andere soorten universele inverter-vermogensmodules en de markeringen op de printplaat verschillend zijn, is het niet moeilijk om de belangrijkste functionele pinposities te identificeren. Hoogwaardige producten maken gebruik van intelligente voedingsmodules, die aandrijfcircuits en remcircuits bevatten, en dienovereenkomstig meer pinnen.
Zoals de naam al aangeeft, is de vermogensmodule van de omvormer de combinatie van vermogenselektronische apparaten in de omvormer en vervolgens ingekapseld en afgedicht in een module volgens bepaalde functies. De omvormer zelf bestaat uit een besturingseenheid en een vermogensmodule. Over het algemeen bereikt de inverter-vermogensmodule het doel van het verminderen van het aantal componenten en het verminderen van de interne bedradingsinductantie door de integrale vormstructuur van de behuizing en de externe elektrode-aansluitingen aan te nemen.
